IPW60R190C6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 20.2 A, Vds=650 V, 3针 PG-TO-247封装
- RS 库存编号:
- 753-3074P
- 制造商零件编号:
- IPW60R190C6
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 25 件 (按管提供)*
RMB458.25
(不含税)
RMB517.75
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB18.33 |
| 100 - 239 | RMB16.39 |
| 240 - 479 | RMB16.06 |
| 480 + | RMB14.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-3074P
- 制造商零件编号:
- IPW60R190C6
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20 | |
| 最大漏源电压 Vd | 650 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | CoolMOS C6 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 151 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 5.21 | |
| 长度 | 16.13 | |
| 高度 | 21.1 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20 | ||
最大漏源电压 Vd 650 | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 CoolMOS C6 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 151 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 5.21 | ||
长度 16.13 | ||
高度 21.1 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- SG