SPB18P06P G , P沟道 MOSFET 晶体管, 18.7 A, Vds=-60 V, 3针 PG-TO-263-3封装
- RS 库存编号:
- 753-3169
- 制造商零件编号:
- SPB18P06P G
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB44.56
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RMB50.355
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB8.912 | RMB44.56 |
| 125 - 495 | RMB5.628 | RMB28.14 |
| 500 - 2495 | RMB5.37 | RMB26.85 |
| 2500 - 4995 | RMB3.968 | RMB19.84 |
| 5000 + | RMB3.89 | RMB19.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-3169
- 制造商零件编号:
- SPB18P06P G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 18.6 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.13 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 81.1 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 690 pF @ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 长度 | 10mm | |
| 尺寸 | 10 x 4.4 x 9.25mm | |
| 高度 | 9.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 18.6 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 0.13 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 81.1 W | ||
典型输入电容值@Vds 690 pF @ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 SIPMOS | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
长度 10mm | ||
尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm | ||
高度 9.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.4mm | ||