BSC050N03LS G , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=30 V, 8针 PG-TDSON-8封装

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

80 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

7.5 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TDSON

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

直流/直流转换器、SMPS

最大功率耗散

50 W

长度

5.35mm

尺寸

5.35 x 6.1 x 1.1mm

典型接通延迟时间

5.2 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

26 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

2100 pF @ 15 V

典型关断延迟时间

21 ns

每片芯片元件数目

1

宽度

6.1mm

最高工作温度

+150 °C

高度

1.1mm