BSC100N03MS G , N沟道 MOSFET 晶体管, 44 A, Vds=30 V, 8针 PG-TDSON-8封装

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

44 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

12 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TDSON

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

5 V驱动器，SMPS

最大功率耗散

30 W

高度

1.1mm

最高工作温度

+150 °C

尺寸

5.35 x 6.1 x 1.1mm

典型关断延迟时间

8 ns

典型输入电容值@Vds

1300 pF @ 15 V

典型栅极电荷@Vgs

17 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

8.5 ns

长度

5.35mm

宽度

6.1mm

每片芯片元件数目

1