BSC520N15NS3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 21 A, Vds=150 V, 8针 PG-TDSON-8封装
- RS 库存编号:
- 754-5323
- 制造商零件编号:
- BSC520N15NS3 G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB20.17
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RMB22.792
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB10.085 | RMB20.17 |
| 50 - 198 | RMB7.925 | RMB15.85 |
| 200 - 998 | RMB5.955 | RMB11.91 |
| 1000 - 9998 | RMB5.21 | RMB10.42 |
| 10000 + | RMB5.105 | RMB10.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5323
- 制造商零件编号:
- BSC520N15NS3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21 | |
| 最大漏源电压 Vd | 150 | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.7 | |
| 最大功耗 Pd | 57 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 1.1 | |
| 宽度 | 6.1 | |
| 长度 | 5.35 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21 | ||
最大漏源电压 Vd 150 | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.7 | ||
最大功耗 Pd 57 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 1.1 | ||
宽度 6.1 | ||
长度 5.35 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||