BSZ123N08NS3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=80 V, 8针 PG-TSDSON-8封装
- RS 库存编号:
- 754-5370
- 制造商零件编号:
- BSZ123N08NS3 G
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB40.06
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RMB45.27
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB8.012 | RMB40.06 |
| 125 - 495 | RMB4.724 | RMB23.62 |
| 500 - 2495 | RMB4.512 | RMB22.56 |
| 2500 - 24995 | RMB3.186 | RMB15.93 |
| 25000 + | RMB3.124 | RMB15.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5370
- 制造商零件编号:
- BSZ123N08NS3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TSDSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 66 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF @ 40 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大漏源电阻值 24 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TSDSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 66 W | ||
典型输入电容值@Vds 1300 pF @ 40 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.4mm | ||
高度 1mm | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.4mm | ||
尺寸 3.4 x 3.4 x 1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
晶体管材料 Si | ||