Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ440N10NS3GATMA1, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
- RS 库存编号:
- 754-5386
- 制造商零件编号:
- BSZ440N10NS3 G
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB6.60 | RMB33.00 |
| 125 - 495 | RMB4.56 | RMB22.80 |
| 500 - 2495 | RMB4.08 | RMB20.40 |
| 2500 - 24995 | RMB3.56 | RMB17.80 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5386
- 制造商零件编号:
- BSZ440N10NS3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 86 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 29 W | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 9.1 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 480 pF @ 50 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1.1mm | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4.3 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 86 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 TDSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 29 W | ||
长度 3.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
高度 1.1mm | ||
典型关断延迟时间 9.1 ns | ||
典型输入电容值@Vds 480 pF @ 50 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.8 nC @ 10 V | ||
尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm | ||
宽度 3.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4.3 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||