IPB017N06N3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 180 A, Vds=60 V, 7针 PG-TO-263-7封装
- RS 库存编号:
- 754-5412
- 制造商零件编号:
- IPB017N06N3 G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB18.34
(不含税)
RMB20.72
(含税)
有库存
- 另外 115 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB18.34 |
| 25 - 99 | RMB16.26 |
| 100 - 499 | RMB14.91 |
| 500 - 999 | RMB14.05 |
| 1000 + | RMB13.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5412
- 制造商零件编号:
- IPB017N06N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最大功耗 Pd | 250 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 206 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 10.31 | |
| 高度 | 4.57 | |
| 宽度 | 9.45 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最大功耗 Pd 250 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 206 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 10.31 | ||
高度 4.57 | ||
宽度 9.45 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||