Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB036N12N3GATMA1, 180 A, Vds=120 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装
- RS 库存编号:
- 754-5428P
- 制造商零件编号:
- IPB036N12N3 G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
RMB739.00
(不含税)
RMB835.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB29.56 |
| 100 - 499 | RMB26.98 |
| 500 - 999 | RMB21.82 |
| 1000 + | RMB21.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5428P
- 制造商零件编号:
- IPB036N12N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180 | |
| 最大漏源电压 Vd | 120 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 158 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最大功耗 Pd | 300 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 9.45 | |
| 长度 | 10.31 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.57 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 180 | ||
最大漏源电压 Vd 120 | ||
包装类型 D2PAK | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 158 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最大功耗 Pd 300 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 9.45 | ||
长度 10.31 | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.57 | ||
汽车标准 否 | ||