IPB107N20N3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 88 A, Vds=200 V, 3针 PG-TO-263-3封装
- RS 库存编号:
- 754-5434P
- 制造商零件编号:
- IPB107N20N3 G
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB26.13 |
| 100 - 499 | RMB25.61 |
| 500 - 999 | RMB25.10 |
| 1000 + | RMB24.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5434P
- 制造商零件编号:
- IPB107N20N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 88 | |
| 最大漏源电压 Vd | 200 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 300 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 65 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 高度 | 4.57 | |
| 长度 | 10.31 | |
| 宽度 | 9.45 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 88 | ||
最大漏源电压 Vd 200 | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 300 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
高度 4.57 | ||
长度 10.31 | ||
宽度 9.45 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||