IPD090N03L G , N沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=30 V, 3针 PG-TO-252-3-11封装

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

40 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

13.5 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TO-252

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

直流/直流转换器、SMPS

最大功率耗散

42 W

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

7.2 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds

1200 pF @ 15 V

典型关断延迟时间

15 ns

宽度

6.22mm

每片芯片元件数目

1

高度

2.41mm

最高工作温度

+175 °C

长度

6.73mm

尺寸

6.73 x 6.22 x 2.41mm

典型接通延迟时间

4 ns