IPD135N03L G , N沟道 MOSFET 晶体管, 30 A, Vds=30 V, 3针 PG-TO-252-3封装

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

30 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

25 mΩ

最大栅阈值电压

2.2V

最小栅阈值电压

1V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

晶体管配置

单

通道模式

增强

最大功率耗散

31 W

典型接通延迟时间

3 ns

典型栅极电荷@Vgs

4.8 nC @ 4.5 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

宽度

6.22mm

最低工作温度

-55 °C

典型输入电容值@Vds

770 pF @ 15 V

典型关断延迟时间

12 ns

系列

OptiMOS 3

高度

2.41mm

最高工作温度

+175 °C

长度

6.73mm

尺寸

6.73 x 6.22 x 2.41mm