IPP096N03L G , N沟道 MOSFET 晶体管, 35 A, Vds=30 V, 3针 PG-TO-220-3-1封装
- RS 库存编号:
- 754-5493
- 制造商零件编号:
- IPP096N03L G
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB6.392 | RMB31.96 |
| 125 - 495 | RMB3.816 | RMB19.08 |
| 500 - 2495 | RMB3.64 | RMB18.20 |
| 2500 - 4995 | RMB2.592 | RMB12.96 |
| 5000 + | RMB2.54 | RMB12.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5493
- 制造商零件编号:
- IPP096N03L G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0144 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1200 pF @ 15 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns | |
| 尺寸 | 10.36 x 15.95 x 4.57mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 15.95mm | |
| 典型关断延迟时间 | 16 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 0.0144 Ω | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 42 W | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.4 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 15 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4 ns | ||
尺寸 10.36 x 15.95 x 4.57mm | ||
长度 10.36mm | ||
高度 4.57mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 15.95mm | ||
典型关断延迟时间 16 ns | ||