IPS105N03L G , N沟道 MOSFET 晶体管, 35 A, Vds=30 V, 3针 PG-TO-251-3-11封装
- RS 库存编号:
- 754-5503
- 制造商零件编号:
- IPS105N03L G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB35.30
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- 最终 970 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | RMB3.53 | RMB35.30 |
| 250 - 990 | RMB2.75 | RMB27.50 |
| 1000 - 4990 | RMB2.47 | RMB24.70 |
| 5000 - 14990 | RMB2.15 | RMB21.50 |
| 15000 + | RMB1.98 | RMB19.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 754-5503
- 制造商零件编号:
- IPS105N03L G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0155 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-251 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 38 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1100 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.6 nC @ 4.5 V | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 典型接通延迟时间 | 3.7 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 0.0155 Ω | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-251 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 38 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1100 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.6 nC @ 4.5 V | ||
高度 2.39mm | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
典型接通延迟时间 3.7 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||