FDB2572 , N沟道 MOSFET 晶体管, 29 A, Vds=150 V, 3针 TO-263AB封装
- RS 库存编号:
- 759-8964
- 制造商零件编号:
- FDB2572
- 制造商:
- onsemi
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RMB19.31
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB9.655 | RMB19.31 |
| 20 - 98 | RMB8.085 | RMB16.17 |
| 100 - 398 | RMB6.815 | RMB13.63 |
| 400 - 798 | RMB6.49 | RMB12.98 |
| 800 + | RMB5.205 | RMB10.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 759-8964
- 制造商零件编号:
- FDB2572
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 29 | |
| 最大漏源电压 Vd | 150 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 135 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 10.67 | |
| 高度 | 4.83 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 11.33 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 29 | ||
最大漏源电压 Vd 150 | ||
系列 PowerTrench | ||
包装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 135 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 10.67 | ||
高度 4.83 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 11.33 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN