Fairchild Semiconductor N沟道增强型MOSFET管, Vds=200 V, 3.6 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚, FDD2670
- RS 库存编号:
- 759-9061P
- 制造商零件编号:
- FDD2670
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB645.00
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RMB729.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 198 | RMB12.90 |
| 200 - 998 | RMB10.66 |
| 1000 - 2498 | RMB8.30 |
| 2500 + | RMB7.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 759-9061P
- 制造商零件编号:
- FDD2670
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.6 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 275 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 70 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，27 常闭 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.6 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 275 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 70 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
长度 6.73mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 6.22mm | ||
高度 2.39mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||