Fairchild Semiconductor N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 64 A, Power 33, 贴片安装, 8引脚, FDMC8651
- RS 库存编号:
- 759-9138
- 制造商零件编号:
- FDMC8651
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB20.20
(不含税)
RMB22.82
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB10.10 | RMB20.20 |
| 20 - 298 | RMB10.00 | RMB20.00 |
| 300 - 998 | RMB6.90 | RMB13.80 |
| 1000 - 2998 | RMB4.96 | RMB9.92 |
| 3000 + | RMB4.90 | RMB9.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 759-9138
- 制造商零件编号:
- FDMC8651
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 64 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | Power 33 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大功率耗散 | 41 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19.4 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 64 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 Power 33 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 9 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大功率耗散 41 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 19.4 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.3mm | ||
宽度 3.3mm | ||
高度 1.05mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||