FDB024N04AL7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 219 A, Vds=40 V, 7针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 759-9462P
- 制造商零件编号:
- FDB024N04AL7
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB401.20
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 49 | RMB35.50 |
| 50 - 399 | RMB29.30 |
| 400 - 799 | RMB25.90 |
| 800 + | RMB23.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 759-9462P
- 制造商零件编号:
- FDB024N04AL7
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 219 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.4 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 214 W | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 71 ns | |
| 宽度 | 4.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 84 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 5490 pF @ 25 V | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.8mm | |
| 尺寸 | 10.2 x 4.3 x 10.8mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 219 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 2.4 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 214 W | ||
典型接通延迟时间 17 ns | ||
典型关断延迟时间 71 ns | ||
宽度 4.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 5490 pF @ 25 V | ||
高度 9.4mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.8mm | ||
尺寸 10.2 x 4.3 x 10.8mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN