onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.8 A, MLP, 贴片安装, 6引脚, FDFME3N311ZT
- RS 库存编号:
- 759-9493P
- 制造商零件编号:
- FDFME3N311ZT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 495 | RMB2.56 |
| 500 - 2495 | RMB2.11 |
| 2500 - 4995 | RMB1.87 |
| 5000 + | RMB1.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 759-9493P
- 制造商零件编号:
- FDFME3N311ZT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 603 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 1.6mm | |
| 高度 | 0.55mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 MLP | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 603 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 1.6mm | ||
高度 0.55mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY