FDMS4435BZ , P沟道 MOSFET 晶体管, 35 A, Vds=-30 V, 8针 Power 56封装
- RS 库存编号:
- 759-9620P
- 制造商零件编号:
- FDMS4435BZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB336.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 495 | RMB5.95 |
| 500 - 1495 | RMB4.89 |
| 1500 - 2995 | RMB4.33 |
| 3000 + | RMB3.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 759-9620P
- 制造商零件编号:
- FDMS4435BZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 37 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 39 W | |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1540 pF @ -15 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 宽度 | 6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 37 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 39 W | ||
典型关断延迟时间 35 ns | ||
典型接通延迟时间 9 ns | ||
系列 PowerTrench | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1540 pF @ -15 V | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.05mm | ||
宽度 6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 5 x 6 x 1.05mm | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- PH