onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 4.5 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, FDS86252
- RS 库存编号:
- 759-9695P
- 制造商零件编号:
- FDS86252
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 20 件 (按管提供)*
RMB184.00
(不含税)
RMB208.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 198 | RMB9.20 |
| 200 - 998 | RMB8.20 |
| 1000 - 2498 | RMB6.30 |
| 2500 + | RMB4.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 759-9695P
- 制造商零件编号:
- FDS86252
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 105 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 4mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.6 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.5 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
系列 PowerTrench | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 105 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 4mm | ||
宽度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 10.6 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY