Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 50 mA, USM, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 760-3114
- 制造商零件编号:
- 2SK1829(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB1.612 | RMB16.12 |
| 50 - 90 | RMB1.261 | RMB12.61 |
| 100 - 240 | RMB1.126 | RMB11.26 |
| 250 - 490 | RMB0.982 | RMB9.82 |
| 500 + | RMB0.901 | RMB9.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-3114
- 制造商零件编号:
- 2SK1829(TE85L,F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 系列 | 2SK | |
| 封装类型 | USM | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 40 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大功率耗散 | 100 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
系列 2SK | ||
封装类型 USM | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 40 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大功率耗散 100 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.25mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||