2SK2847(F) , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=900 V, 3针 TO-3PNIS封装
- RS 库存编号:
- 760-3120
- 制造商零件编号:
- 2SK2847(F)
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB32.68 |
| 25 - 99 | RMB25.48 |
| 100 - 249 | RMB24.75 |
| 250 - 499 | RMB23.57 |
| 500 + | RMB22.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-3120
- 制造商零件编号:
- 2SK2847(F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 900 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.4 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-3PNIS | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 85 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 60 ns | |
| 宽度 | 4.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 95 ns | |
| 高度 | 20mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 尺寸 | 15.9 x 4.8 x 20mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 2040 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 900 V | ||
最大漏源电阻值 1.4 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-3PNIS | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 85 mW | ||
典型接通延迟时间 60 ns | ||
宽度 4.8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 95 ns | ||
高度 20mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 15.9mm | ||
尺寸 15.9 x 4.8 x 20mm | ||
典型输入电容值@Vds 2040 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 10 V | ||