2SK2963(TE12L,F) , N沟道 MOSFET 晶体管, 1 A, Vds=100 V, 3针 PW Mini封装
- RS 库存编号:
- 760-3139P
- 制造商零件编号:
- 2SK2963(TE12L,F)
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB200.85
(不含税)
RMB226.95
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB4.017 |
| 100 - 240 | RMB3.601 |
| 250 - 490 | RMB3.146 |
| 500 + | RMB2.886 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-3139P
- 制造商零件编号:
- 2SK2963(TE12L,F)
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 700 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PW Mini | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 4.6 x 2.5 x 1.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 140 pF @ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.3 nC @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 175 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 700 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PW Mini | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
长度 4.6mm | ||
高度 1.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 2.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 4.6 x 2.5 x 1.6mm | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
典型输入电容值@Vds 140 pF @ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.3 nC @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 175 ns | ||