Infineon N沟道增强型MOSFET管, Vds=30 V, 36 A, DirectFET S1, 贴片安装, 4引脚, IRF6708S2TR1PBF
- RS 库存编号:
- 760-4202P
- 制造商零件编号:
- IRF6708S2TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计 125 件 (按连续条带形式提供)*
RMB1,850.00
(不含税)
RMB2,090.00
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 495 | RMB14.80 |
| 500 - 1245 | RMB13.30 |
| 1250 - 2495 | RMB11.60 |
| 2500 + | RMB10.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-4202P
- 制造商零件编号:
- IRF6708S2TR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 36 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | DirectFET S1 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 14.3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.6 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 长度 | 3.95mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.49mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 36 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 DirectFET S1 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 14.3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大功率耗散 20 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.6 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.95mm | ||
长度 3.95mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.49mm | ||