Infineon N沟道增强型MOSFET管, Vds=30 V, 190 A, DirectFET MX, 贴片安装, 5引脚, IRF6729MTR1PBF
- RS 库存编号:
- 760-4214
- 制造商零件编号:
- IRF6729MTR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
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小计（1 件）*
RMB21.90
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB21.90 |
| 25 - 99 | RMB17.10 |
| 100 - 249 | RMB15.30 |
| 250 - 499 | RMB13.40 |
| 500 + | RMB12.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-4214
- 制造商零件编号:
- IRF6729MTR1PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 190 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | DirectFET MX | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.7 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大功率耗散 | 104 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 5.05mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 5.45mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 42 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 高度 | 0.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 190 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 DirectFET MX | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 2.7 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大功率耗散 104 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 5.05mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 5.45mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
高度 0.5mm | ||