AUIRF7379Q, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8针 SO-8封装

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RS 库存编号:
760-4280
制造商零件编号:
AUIRF7379Q
制造商:
International Rectifier
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品牌

International Rectifier

通道类型

N,P

最大连续漏极电流

4.3 A,5.8 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

75 mΩ、180 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SOIC

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2.5 W

典型关断延迟时间

22 ns, 25 ns

每片芯片元件数目

2

典型栅极电荷@Vgs

25 nC @ 10 V

宽度

4mm

典型输入电容值@Vds

440 pF @ -25 V、520 pF @ 25 V

最低工作温度

-55 °C

尺寸

5 x 4 x 1.5mm

典型接通延迟时间

6.8 ns、11 ns

最高工作温度

+150 °C

长度

5mm

高度

1.5mm