AUIRF9952Q, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8针 SO-8封装

品牌

International Rectifier

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

2.3 A，3.5 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

150 mΩ、400 mΩ

最大栅阈值电压

3V

最小栅阈值电压

1V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SOIC

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2 W

宽度

4mm

每片芯片元件数目

2

最高工作温度

+150 °C

长度

5mm

最低工作温度

-55 °C

尺寸

5 x 4 x 1.5mm

典型栅极电荷@Vgs

6.1 nC @ 10 V，6.9 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

190 pF @ 15 V、190 pF @ -15 V

典型接通延迟时间

6.2 ns、9.7 ns

典型关断延迟时间

13 ns, 20 ns

高度

1.5mm