AUIRF7416Q , P沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=-30 V, 8针 SO-8封装

品牌

International Rectifier

通道类型

P

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

40 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

SOIC

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2.5 W

宽度

4mm

典型关断延迟时间

59 ns

典型栅极电荷@Vgs

61 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

1700 pF @ -25 V

最低工作温度

-55 °C

每片芯片元件数目

1

长度

5mm

尺寸

5 x 4 x 1.5mm

最高工作温度

+150 °C

高度

1.5mm

典型接通延迟时间

18 ns