Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 180 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, AUIRL1404ZL
- RS 库存编号:
- 760-4334
- 制造商零件编号:
- AUIRL1404ZL
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB16.66
(不含税)
RMB18.83
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB16.66 |
| 25 - 99 | RMB14.41 |
| 100 - 249 | RMB13.72 |
| 250 - 499 | RMB9.47 |
| 500 + | RMB9.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-4334
- 制造商零件编号:
- AUIRL1404ZL
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 5.9 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 75 nC @ 5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 9.65mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 5.9 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 200 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 9.65mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||