Infineon N沟道增强型MOSFET管, Vds=200 V, 20 A, PQFN, 贴片安装, 8引脚, IRFH5220TR2PBF
- RS 库存编号:
- 760-4369
- 制造商零件编号:
- IRFH5220TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB14.86
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RMB16.79
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB14.86 |
| 25 - 99 | RMB12.82 |
| 100 - 249 | RMB12.21 |
| 250 - 499 | RMB11.62 |
| 500 + | RMB10.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-4369
- 制造商零件编号:
- IRFH5220TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 99.9 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 47 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 长度 | 6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 99.9 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 47 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V | ||
长度 6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.85mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||