IRLHS2242TR2PBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 15 A, Vds=-20 V, 6针 PQFN封装
- RS 库存编号:
- 760-4422P
- 制造商零件编号:
- IRLHS2242TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计 125 件 (按连续条带形式提供)*
RMB430.00
(不含税)
RMB486.25
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 495 | RMB3.44 |
| 500 - 1245 | RMB3.09 |
| 1250 - 2495 | RMB2.694 |
| 2500 + | RMB2.468 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-4422P
- 制造商零件编号:
- IRLHS2242TR2PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 15 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 53 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 9.6 W | |
| 典型接通延迟时间 | 7.9 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 877 pF @ -10 V | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.95mm | |
| 典型关断延迟时间 | 54 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 15 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 53 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 9.6 W | ||
典型接通延迟时间 7.9 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 877 pF @ -10 V | ||
宽度 2.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HEXFET | ||
高度 0.95mm | ||
尺寸 2.1 x 2.1 x 0.95mm | ||
典型关断延迟时间 54 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2.1mm | ||