onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 55 A, MicroFET 2 x 2, 贴片安装, 8引脚, FDMC86520L
- RS 库存编号:
- 760-5882
- 制造商零件编号:
- FDMC86520L
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB10.88 | RMB21.76 |
| 20 - 98 | RMB8.85 | RMB17.70 |
| 100 - 998 | RMB7.08 | RMB14.16 |
| 1000 - 2998 | RMB5.88 | RMB11.76 |
| 3000 + | RMB5.20 | RMB10.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-5882
- 制造商零件编号:
- FDMC86520L
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | MLP | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3 | |
| 最大功耗 Pd | 40 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 0.75 | |
| 长度 | 3.3 | |
| 宽度 | 3.3 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 22 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 MLP | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3 | ||
最大功耗 Pd 40 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 0.75 | ||
长度 3.3 | ||
宽度 3.3 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY