FDMQ8403, 四 N沟道 MOSFET 晶体管, 9 A, Vds=100 V, 12针 MLP封装
- RS 库存编号:
- 760-5905
- 制造商零件编号:
- FDMQ8403
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB34.24
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB17.12 | RMB34.24 |
| 20 - 98 | RMB13.905 | RMB27.81 |
| 100 - 998 | RMB11.125 | RMB22.25 |
| 1000 - 2998 | RMB9.20 | RMB18.40 |
| 3000 + | RMB8.16 | RMB16.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-5905
- 制造商零件编号:
- FDMQ8403
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 191 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 晶体管配置 | 全桥 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 17 W | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4.5 x 0.75mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 7.2 ns | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 典型接通延迟时间 | 4.1 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 162 pF@ 50 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 191 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 12 | ||
晶体管配置 全桥 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 17 W | ||
高度 0.75mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4.5 x 0.75mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 7.2 ns | ||
宽度 4.5mm | ||
每片芯片元件数目 4 | ||
典型接通延迟时间 4.1 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 3 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 162 pF@ 50 V | ||
- COO (Country of Origin):
- MY