FDMS039N08B , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=80 V, 8针 PQFN封装
- RS 库存编号:
- 760-5908P
- 制造商零件编号:
- FDMS039N08B
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB305.20
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 98 | RMB13.50 |
| 100 - 998 | RMB11.10 |
| 1000 - 2998 | RMB9.85 |
| 3000 + | RMB8.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-5908P
- 制造商零件编号:
- FDMS039N08B
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.9 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 104 W | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 77 nC @ 40 V | |
| 典型接通延迟时间 | 42 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 5715 pF @ 40 V | |
| 典型关断延迟时间 | 48 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大漏源电阻值 3.9 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 104 W | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 77 nC @ 40 V | ||
典型接通延迟时间 42 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 5 x 6 x 1.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.05mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6mm | ||
典型输入电容值@Vds 5715 pF @ 40 V | ||
典型关断延迟时间 48 ns | ||