FDP085N10A_F102 , N沟道 MOSFET 晶体管, 96 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 760-5930
- 制造商零件编号:
- FDP085N10A_F102
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 760-5930
- 制造商零件编号:
- FDP085N10A_F102
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 96 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.5 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 188 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 2025 pF @ 50 V | |
| 宽度 | 4.672mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 29 ns | |
| 高度 | 15.215mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.672 x 15.215mm | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 96 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 8.5 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 188 W | ||
典型输入电容值@Vds 2025 pF @ 50 V | ||
宽度 4.672mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 29 ns | ||
高度 15.215mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.36mm | ||
尺寸 10.36 x 4.672 x 15.215mm | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 31 nC @ 10 V | ||