STB120N4LF6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=40 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 760-9471
- 制造商零件编号:
- STB120N4LF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB19.95 |
| 5 - 19 | RMB19.00 |
| 20 - 49 | RMB17.10 |
| 50 - 99 | RMB15.30 |
| 100 + | RMB14.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9471
- 制造商零件编号:
- STB120N4LF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 典型关断延迟时间 | 125 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 4300 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| 长度 | 10.75mm | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 110 W | ||
典型关断延迟时间 125 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 10.4mm | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 4300 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V | ||
高度 4.6mm | ||
尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm | ||
长度 10.75mm | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||