STB95N3LLH6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=30 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 760-9522
- 制造商零件编号:
- STB95N3LLH6
- 制造商:
- STMicroelectronics
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- 制造商零件编号:
- STB95N3LLH6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 70 W | |
| 长度 | 10.75mm | |
| 尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 24.5 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 7.5 mΩ | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 70 W | ||
长度 10.75mm | ||
尺寸 10.75 x 10.4 x 4.6mm | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 2200 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 24.5 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 10.4mm | ||
高度 4.6mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||