STD10NF10T4 , N沟道 MOSFET 晶体管, 13 A, Vds=100 V, 3针 D-PAK封装
- RS 库存编号:
- 760-9531
- 制造商零件编号:
- STD10NF10T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB23.30
(不含税)
RMB26.35
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年8月24日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | RMB4.66 | RMB23.30 |
| 250 - 495 | RMB2.68 | RMB13.40 |
| 500 - 620 | RMB2.62 | RMB13.10 |
| 625 - 1245 | RMB2.56 | RMB12.80 |
| 1250 + | RMB1.986 | RMB9.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9531
- 制造商零件编号:
- STD10NF10T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 系列 | STripFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15.3 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 50 | |
| 正向电压 Vf | 1.5 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 6.2 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.6 | |
| 高度 | 2.4 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13 | ||
最大漏源电压 Vd 100 | ||
包装类型 DPAK | ||
系列 STripFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15.3 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 50 | ||
正向电压 Vf 1.5 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 6.2 | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.6 | ||
高度 2.4 | ||
汽车标准 否 | ||