STD120N4LF6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=40 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 760-9538
- 制造商零件编号:
- STD120N4LF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB85.96
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RMB97.135
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | RMB17.192 | RMB85.96 |
| 250 - 495 | RMB11.072 | RMB55.36 |
| 500 - 620 | RMB10.208 | RMB51.04 |
| 625 - 1245 | RMB9.722 | RMB48.61 |
| 1250 + | RMB8.012 | RMB40.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9538
- 制造商零件编号:
- STD120N4LF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 典型关断延迟时间 | 125 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 4300 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 110 W | ||
长度 6.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.2mm | ||
典型关断延迟时间 125 ns | ||
典型输入电容值@Vds 4300 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V | ||
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
高度 2.4mm | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||