STD4N62K3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 3.8 A, Vds=620 V, 3针 TO-252封装

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

3.8 A

最大漏源电压

620 V

最大漏源电阻值

2 Ω

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

TO-252

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

70 W

典型接通延迟时间

10 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

22 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

550 pF @ 50 V

典型关断延迟时间

29 ns

宽度

6.2mm

每片芯片元件数目

1

高度

2.4mm

系列

MDmesh K3, SuperMESH3

最高工作温度

+150 °C

长度

6.6mm

尺寸

6.6 x 6.2 x 2.4mm