STD7N52DK3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=525 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 760-9594
- 制造商零件编号:
- STD7N52DK3
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB65.71
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RMB74.25
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | RMB13.142 | RMB65.71 |
| 250 - 495 | RMB8.354 | RMB41.77 |
| 500 - 620 | RMB7.49 | RMB37.45 |
| 625 - 1245 | RMB7.382 | RMB36.91 |
| 1250 + | RMB6.014 | RMB30.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9594
- 制造商零件编号:
- STD7N52DK3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 525 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.15 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 90 W | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 37 ns | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 870 pF@ 50 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| 系列 | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 525 V | ||
最大漏源电阻值 1.15 Ω | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 90 W | ||
宽度 6.2mm | ||
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.6mm | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
典型关断延迟时间 37 ns | ||
高度 2.4mm | ||
典型输入电容值@Vds 870 pF@ 50 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V | ||
系列 MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||