STI24NM65N , N沟道 MOSFET 晶体管, 19 A, Vds=710 V, 3针 I2PAK封装
- RS 库存编号:
- 760-9617P
- 制造商零件编号:
- STI24NM65N
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
RMB462.00
(不含税)
RMB522.10
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 49 | RMB46.20 |
| 50 - 99 | RMB41.40 |
| 100 - 249 | RMB36.10 |
| 250 + | RMB33.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9617P
- 制造商零件编号:
- STI24NM65N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 19 A | |
| 最大漏源电压 | 710 V | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | I2PAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 160 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2500 pF @ 50 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 80 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 19 A | ||
最大漏源电压 710 V | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 I2PAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 160 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2500 pF @ 50 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 80 ns | ||
典型接通延迟时间 25 ns | ||