STL100N1VH5 , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=12 V, 8针 PowerFLAT封装
- RS 库存编号:
- 760-9635
- 制造商零件编号:
- STL100N1VH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB26.82
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RMB30.305
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB5.364 | RMB26.82 |
| 50 - 245 | RMB5.108 | RMB25.54 |
| 250 - 745 | RMB4.864 | RMB24.32 |
| 750 - 1495 | RMB4.634 | RMB23.17 |
| 1500 + | RMB4.412 | RMB22.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9635
- 制造商零件编号:
- STL100N1VH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 2085 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 尺寸 | 5.2 x 6.15 x 0.95mm | |
| 宽度 | 6.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 14.4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26.5 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | STripFET V | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 12 V | ||
最大漏源电阻值 4 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 60 W | ||
典型输入电容值@Vds 2085 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 50 ns | ||
长度 5.2mm | ||
尺寸 5.2 x 6.15 x 0.95mm | ||
宽度 6.15mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 14.4 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 26.5 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 STripFET V | ||
高度 0.95mm | ||