STP260N6F6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 120 A, Vds=60 V, 4针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 760-9673
- 制造商零件编号:
- STP260N6F6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB29.19
(不含税)
RMB32.98
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB29.19 |
| 10 - 49 | RMB22.63 |
| 50 - 99 | RMB20.45 |
| 100 - 249 | RMB17.80 |
| 250 + | RMB16.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9673
- 制造商零件编号:
- STP260N6F6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 300 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 183 | |
| 正向电压 Vf | 1.1 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 4.6 | |
| 高度 | 15.75 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.4 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 120 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 300 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 183 | ||
正向电压 Vf 1.1 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 4.6 | ||
高度 15.75 | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.4 | ||
汽车标准 否 | ||