STU150N3LLH6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 80 A, Vds=30 V, 3针 TO-251封装
- RS 库存编号:
- 760-9736
- 制造商零件编号:
- STU150N3LLH6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB73.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB14.60 | RMB73.00 |
| 25 - 70 | RMB12.00 | RMB60.00 |
| 75 - 145 | RMB11.31 | RMB56.55 |
| 150 - 295 | RMB9.88 | RMB49.40 |
| 300 + | RMB9.036 | RMB45.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9736
- 制造商零件编号:
- STU150N3LLH6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.9 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-251 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 4040 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 75 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 4.5 V | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.4 x 6.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 高度 | 6.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 4.9 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-251 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 110 W | ||
典型输入电容值@Vds 4040 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 75 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 17 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V | ||
尺寸 6.6 x 2.4 x 6.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.4mm | ||
长度 6.6mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
高度 6.9mm | ||