STU5N62K3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 4.2 A, Vds=620 V, 3针 TO-251封装

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

4.2 A

最大漏源电压

620 V

最大漏源电阻值

1.6 Ω

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

TO-251

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

70 W

尺寸

6.6 x 2.4 x 6.9mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

最高工作温度

+150 °C

系列

MDmesh K3, SuperMESH3

高度

6.9mm

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

12 ns

典型关断延迟时间

40 ns

典型输入电容值@Vds

680 pF @ 50 V

典型栅极电荷@Vgs

26 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C