意法半导体 N沟道增强型MOSFET管, Vds=30 V, 75 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, STU75N3LLH6
- RS 库存编号:
- 760-9761
- 制造商零件编号:
- STU75N3LLH6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB32.83
(不含税)
RMB37.10
(含税)
正在逐步停售
- 最终 5 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB6.566 | RMB32.83 |
| 25 - 70 | RMB5.136 | RMB25.68 |
| 75 - 145 | RMB4.602 | RMB23.01 |
| 150 - 295 | RMB4.018 | RMB20.09 |
| 300 + | RMB3.68 | RMB18.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9761
- 制造商零件编号:
- STU75N3LLH6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | TO-251 | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 8.4 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC @ 4.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 6.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 TO-251 | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 8.4 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 60 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 2.4mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 4.5 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.6mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 6.9mm | ||