STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 120 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, STB160N75F3
- RS 库存编号:
- 760-9828P
- 制造商零件编号:
- STB160N75F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 149 | RMB27.68 |
| 150 - 299 | RMB24.58 |
| 300 - 599 | RMB22.69 |
| 600 + | RMB20.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9828P
- 制造商零件编号:
- STB160N75F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120 | |
| 最大漏源电压 Vd | 75 | |
| 包装类型 | D2PAK | |
| 系列 | STripFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 85 | |
| 正向电压 Vf | 1.5 | |
| 最大功耗 Pd | 330 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 宽度 | 10.4 | |
| 高度 | 4.6 | |
| 长度 | 10.75 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120 | ||
最大漏源电压 Vd 75 | ||
包装类型 D2PAK | ||
系列 STripFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85 | ||
正向电压 Vf 1.5 | ||
最大功耗 Pd 330 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
宽度 10.4 | ||
高度 4.6 | ||
长度 10.75 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||