STD10NM65N , N沟道 MOSFET 晶体管, 9 A, Vds=650 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 760-9871
- 制造商零件编号:
- STD10NM65N
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB71.97
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RMB81.325
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB14.394 | RMB71.97 |
| 50 - 145 | RMB11.178 | RMB55.89 |
| 150 - 295 | RMB10.064 | RMB50.32 |
| 300 - 595 | RMB8.72 | RMB43.60 |
| 600 + | RMB8.018 | RMB40.09 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9871
- 制造商零件编号:
- STD10NM65N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 480 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 90 W | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | MDmesh | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 850 pF@ 50 V | |
| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 480 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 90 W | ||
宽度 6.2mm | ||
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
长度 6.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 MDmesh | ||
高度 2.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 850 pF@ 50 V | ||
典型关断延迟时间 50 ns | ||